檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "Jung-Chieh Su".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="氮化銦鎵"
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖案化藍寶石基板的晶圓,以表面結構化處理的技術研製p-i-n光偵測器,我們製作兩種不同材料的表面結構處理,分別為:(1)ITO表面粗糙化;以及(…
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV (GaN)調變至0.7eV (InN),其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜,所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…